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2008/5/1
IXYS於五月初發表最新一代技術產品XPT IGBT。IXYS新一代的高壓IGBT具備有快速開關(fast switching)及低導通損失等特性。XPT IGBT是由IXYS實驗室採用先進的製程設計研發出來。
為了於併聯使用上達到最大效益,XPT IGBT採用高功率模組設計並且可透過使用多個discrete加大功率。經過最佳化設計的XPT IGBT可應用於馬達控制、UPS、電源供應、變頻器及太陽能變頻器等產品上。
在power turn-off testing中,整合IXYS cell design 及XPT(Xtreme light Punch Through)晶片技術的XPT IGBT,於動態及靜態行為下都有優異的表現,同時兼具可靠性及堅固耐用性。XPT IGBT 的 Vce(sat) 值很低,通常在攝氏25度時為1.8V 。
XPT IGBT結合IXYS之前發表的SONIC快速二極體技術,不論在怎樣的切換電流下,都能達到快速開關(fast switching)及軟開關(soft switching)且提供極佳的EMI效能。
目前1200V的XPT IGBT有10A, 15A, 35A及50A四種選擇,提供標準的模組及discrete包裝,同時也接受客製化包裝訂單。結合新的XPT IGBT與SONIC 二極體的技術也應用於新的Six-Pack CBI(Converter Brake Inverter)模組上,目前有三種包裝供貨中。型號IXA37IF1200HJ 是含二極體的XPT IGBT,整合應用XPT 及SONIC技術,包裝為ISOPLUS 247tm。
IXYS歐洲營運中心總裁Peter Ingram表示,新一代的XPT IGBT的發表讓IXYS 的產品更能符合市場上對於IGBT的期待:要兼顧耐用性及低耗損並且容易併聯使用。整合IXYS 包裝科技的XPT IGBT在效率性與可靠性的基礎下,能提供高比例的效能於功率轉換的應用。
原文新聞稿
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